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GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs-Infrared Emitter (Mini Sidelooker)
Vorlaufige Daten / Preliminary Data
SFH 4110
R 0.9 R 0.7
0.5x45
Emitter/ Cathode 16.5 16.0 2.54 1.42 1.22 0.6 0.4
2.2 2.0 3.1 2.9
1.04 17.77 0.84 17.27
4.1 3.9
3.0 2.8
0.5 0.3
0.9 0.7
1.3 1.1
GEO06976
geo06976
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale Wellenlange der Strahlung 940 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstarke Geringe Auenabmessungen Gehausegleich mit Fototransistor SFH 3100F Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100F q Hohe Zuverlassigkeit
q q q q q q
Features Peak wavelength of 940 nm Narrow half angle High radiant intensity Small outline dimensions Same package as phototransistor SFH 3100F High coupling factor in light barriers with SFH 3100F q High reliability
q q q q q q
Anwendungen
q q q q q q q
Applications
q q q q q q q
Sender fur Lichtschranken Bandende Erkennung (Videorecorder z.B.) Datenubertragung Positionsuberwachung Barcode-Leser "Messen, Steuern, Regeln" Munzzahler
Emitter in photointerrupter Tape end detection (VCR e.g.) Data transmission Position sensing Barcode reader For control and drive circuits Coin counters
Semiconductor Group
1
1998-05-14
feo06976
1.6 1.4
1.04 0.84
0.84 0.64
60
SFH 4110
Typ Type SFH 4110
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5072
Gehause Package Klares Miniatur-Kunststoffgehause, seitliche Abstrahlung, Anschlusse im 2,54-mm Raster, Kathodenkennzeichnung: kurzer Anschlu Clear miniature plastic package, sidelooker, solder tabs 2.54-mm (1/10"), cathode marking: short lead
Grenzwerte (TA = 25 oC) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung Thermal resistance junction - ambient Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength of peak emission Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Symbol Symbol peak A Wert Value 940 50 9 0.0625 Einheit Unit nm nm Grad deg. mm2 Symbol Symbol Top; Tstg Tj VR IF (DC) IFSM Ptot RthJA Wert Value - 40 ... + 85 85 3 60 1 100 280 Einheit Unit
o
C C
o
V mA A mW K/W
Semiconductor Group
2
1998-05-14
SFH 4110
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Abmessungen der aktiven Chipflache Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 20 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 20 mA, RL = 50 Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 20 mA, tp = 20 ms Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 20 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 20 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 20 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 20 mA Temperature coefficient of , IF = 20 mA Symbol Symbol LxB LxW tr , tf Wert Value 0.25 x 0.25 450 / 360 Einheit Unit mm ns
C0
16
pF
VF
1.2 ( 1.4)
V
IR
0.01 ( 1.0)
A
e
2
mW
TCI
- 0.55
%/K
TCV TCl
- 1.8 0.3
mV/K nm/K
Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke 1) Radiant intensity 1) IF = 20 mA, tp = 20 ms
1) 1)
Symbol Ie min
Werte Values 1.6
Einheit Unit mW/sr
Sonderselektion auf Anfrage. Special bin selection on request.
Semiconductor Group
3
1998-05-14
SFH 4110
Relative spectral emission Irel = f ()
100 rel % 80
OHF00370
Radiant intensity
e ---------------- = f ( I F ) I e100mA I
Single pulse, tp = 20 s
e
10 1
OHF00369
Max. permissible forward current IF = f (TA)
90
OHF00372
e (100 mA)
10 0
F mA
70
70 60
R thJA = 280 K/W
60 50
50 40 30 20 10 0 700 750 800 850 900 950 1000 nm 1100
10 -1
40 30
10
-2
20 10
10 -3 -1 10
0
10 0
10 1
10 2 mA 10 3 F
0
20
40
60
80
C TA
120
Forward current IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 s
10 4 mA 10 3
OHFD00367
Radiation characteristics Irel = f ()
40 30 20 10 0 1.0
OHF00371
F
50
0.8
10 2
60
0.6
10 1
70
0.4
10 0
80 90
0.2 0
10 -1
10 -2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V VF
4
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Permissible pulse power Duty cycle D = parameter, TA = 25 C
10 1
OHF00373
F A
10 0
D = 0.005 D = 0.01 D = 0.02 D = 0.05 D = 0.1 D = 0.2 D = 0.5
10 -1
10 -2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0
s tP
10 2
Semiconductor Group
4
1998-05-14

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